Диод, транзистор и оптоэлектронный компонент
Диоды обеспечивают rectification и защиту обратного полярности, типичные прямые падения напряжения 0,3 В (Schottky) до 1,1 В (Si силовые). Транзисторы (BJT, MOSFET, IGBT) характеризуются коэффициентом усиления hFE 10–300, пороговым Vgs(th) 1–4 В и Rds(on) от нескольких mΩ до десятков Ω. Оптоэлектронные компоненты включают LED с длинами волн 450–660 nm и токовой нагрузкой 10–50 mA, а также fotodiode с ответственностью 0,4–0,6 A/В при 850 nm и время нарастания <10 нс. Все элементы поставляются в корпусах SMD (SOT‑23, QFN, TO‑252) и выводных (TO‑220, DIP) согласно JEDEC и IEC 60747 стандартам, соответствуют RoHS/REACH.
Инженеры Zavod.dev · обновлено 20 июля 2026
Принцип работы
Диод využívá p-n переход, позволяя ток течь от анода к катоду при прямом смещении >0,3–0,7 В и блокируя обратный ток до обратного пробоя (обычно 20–1000 В). Транзистор в конфигурации эмиттер‑коллектор (BJT) или исток‑сток (MOSFET) управляет током коллектора/стока базовым/затворным напряжением, обеспечивая коэффициент усиления hFE или взаимную проводимость gm. Оптоэлектронные приборы основаны на рекомбинации электронов и дырок в активной области: LED излучает фотоны при прямом токе, а fotodiode генерирует фототок пропорциональный падающему световому потоку.
Ключевые параметры
Диоды: прямой ток IF (до 10 A для силовых Schottky, до 500 мА для маломощных), обратный ток IR <1 µА при 25 °C, максимальная обратная напряженность VRM до 1200 В (SiC). Транзисторы: MOSFET Vgs(th) 1,0–4,0 В, Rds(on) 4 mΩ при Vgs=10 В (например, IRLZ44N), IGBT Vce(sat) 1,8–2,5 В при Ic=100 А, hFE BJT 20–250. Оптоэлектроника: LED If=20 mA, Vf=2,0–3,5 В, длина волны λ=470 nm (синий) до 660 nm (красный), fotodiode чувствительность S=0,55 A/В при λ=850 nm, темновой ток Id<1 нс, время восстановления tr<5 нс.
Корпуса, стандарты и интерфейсы
Выводные: TO‑220 (до 3 А, Vce до 1000 В), TO‑247 (до 100 А), DIP‑14 для логических транзисторов. SMD: SOT‑23‑3 (маломощные диоды/транзисторы), QFN‑8 (MOSFET с Rds(on)<10 mΩ), SOIC‑8 (оптопары), PLCC‑4 (высокоскоростные fotodiode). Стандарты корпусов регулируются JEDEC (например, JESD22‑A101 для термического циклирования) и IEC 60747 (полупроводниковые приборы). Интерфейсы подключения: пайка через отверстия, рефлоу паяльная паста ( peak 240–260 °C, 20‑40 с), а также разъёмы типа MCP‑плат для оптоэлектронных датчиков.
Промышленное применение
Диоды: защита источников питания от обратного полярности (Schottky 1N5819, IF=1 A), выпрямление в блоках питания 24 В DC (мостовые диоды KBPC1010, VRRM=1000 В). Транзисторы: MOSFET в драйверах двигателей постоянного тока (PWM 20 кГц, Id до 30 А), IGBT в преобразователях частоты 380 В/50 Гц, BJT в усилительных каскадах измерительной техники. Оптоэлектроника: LED‑индикаторы состояния PLC (5 мA, λ=630 нм), оптопары для гальванической развязки входов/выходов (CTR 50–300 %, Viso=5 кВ), fotodiode в энкодерах и барьерных датчиках (λ=850 нм, tr<10 нс). Все позиции доступны в разделе ekb-components каталога Zavod.dev с параметрическим фильтром по напряжению, току, корпусу и соответствию RoHS/REACH.